El óxido de cobre (CuO), es un material que presenta un band gap entre 1.2 a 1.9 eV haciéndolo un material adecuado para aplicaciones optoelectrónicas, gracias a su capacidad para absorber la luz en gran del espectro visible. En este trabajo se realizo la síntesis y caracterización del óxido de cobre mediante la técnica por depósito químico. En los resultados de SEM, el CuO presento una morfología en forma de flor, por su parte cuando fue sometido a tratamiento se presentó un mayor ordenamiento cristalino, aumentando su cristalinidad. En los análisis de FTIR se observó la interacción de las moléculas del Cu-O. Estos resultados nos confirman que el CuO es un excelente candidato para aplicaciones optoelectrónicas como: celdas solares, sensores, detectores, transistores, baterías, supercapacitores y ventanas inteligentes.